玩转BIOS设置 史上最强BIOS设置大解析 中

 DRAM参数的第二梯队

 tWR：参数范围5-16T。WR就是Write Recovery Time，写恢复延时。该值指的是在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
 tWTR：参数范围4-15T。WTR就是Write to Read Delay，写到读延时。这个参数设定向DDR内存模块的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。
 tRRD：参数范围1-15T。RRD就是Row to Row Delay，行到行延迟。也称为RAS to RAS delay ，表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。
 tRTP：参数范围4-15T。RTP就是DRAM READ to PRE Time，内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定。
 tFAW：参数范围4-63T。FAW就是DRAM FOUR ACT WIN Time，内存四项动作成功时间。该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。
 tWCL：参数范围5-15T。WCL就是Write CAS Latency，写指令到行地址控制器延时。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。这个参数和tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL是“读”的延迟，tWCL是“写”的延迟。
 tCKE：参数范围3-15T。CKE是时钟有效信号（Clock Enable），在这里这个参数叫做CKE Minimum Plus Width，就是CKE最小脉冲宽度。
 tRTL：参数范围24-64T。RTL就是DRAM Round Trip Latency，在一个UCLK（NB Clock）内往返读取若干单元之间的最小延迟。